北京华源科半光电子科技有限责任公司
企业简介

北京华源科半光电子科技有限责任公司 main business:制造及销售磁 光 电传感器及其配套元件 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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北京华源科半光电子科技有限责任公司的工商信息
  • 110108004200533
  • 911101081019479067
  • 开业
  • 其他有限责任公司
  • 1984年09月29日
  • 韩海
  • 1000.000000
  • 2001年07月25日 至 2017年07月24日
  • 北京市工商行政管理局海淀分局
  • 2016年07月25日
  • 北京市海淀区清华东路肖庄林业大学内
  • 制造磁、光、电传感器及其配套元器件;销售磁、光、电传感器及其配套元器件;技术开发、技术咨询、技术服务;销售机械电器设备、电子产品;建设工程项目管理。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)
北京华源科半光电子科技有限责任公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 3278023 BK 2002-08-19 气体检测仪;物理学设备仪器;半导体器件;晶体管;光电管;互感器;传感器;光电开关;集成电路;集成电路块 查看详情
北京华源科半光电子科技有限责任公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN100414733C 一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法 2008.08.27 一种抗静电脉冲电压的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺方法,采用特别的电极图形,使在金属电极与有源区
2 CN100383993C 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 2008.04.23 一种高线性度的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺法,使用阳极氧化工艺减薄有源区的外表面,根据器件符合
3 CN200956565Y 无触点断路器 2007.10.03 一种利用砷化镓霍尔器件和可控硅设计的断路器,利用砷化镓霍尔器件检测被测电路的电流,将检测出的霍尔电压
4 CN1450672A 一种减小霍尔器件失调电压的方法 2003.10.22 一种低失调电压的砷化镓霍尔器件的制备工艺方法,在基片上蒸镀氧化硅形成器件图形,然后再用离子注入技术在
5 CN1450670A 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 2003.10.22 一种高线性度的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺法,使用阳极氧化工艺减薄有源区的外表面,根据器件符合
6 CN1450671A 一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法 2003.10.22 一种抗静电脉冲电压的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺方法,采用特别的电极图形,使在金属电极与有源区
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